控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法
梁凌燕; 叶小玲; 金 鹏; 陈涌海; 徐 波; 王占国 
2009-09-23
专利权人中科院半导体研究所
公开日期4007
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2008-03-19
语种中文
专利状态公开
申请号CN200810102199
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9060
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
梁凌燕,叶小玲,金 鹏,等. 控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法[P]. 2009-09-23.
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