中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  付英春
Adobe PDF(2634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1278/53  |  提交时间：2015/06/03
相变存储器  全限制  自对准  牺牲层  量子点  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fu YC (Fu Ying-Chun);  Wang XF (Wang Xiao-Feng);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Yang X (Yang Xiang);  Bai YX (Bai Yun-Xia);  Zhang JY (Zhang Jia-Yong);  Ma HL (Ma Hui-Li);  Ji A (Ji An);  Yang FH (Yang Fu-Hua)
Adobe PDF(2007Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：845/274  |  提交时间：2013/04/18
水平全限制相变存储器工艺研发及器件制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  付英春
Adobe PDF(5214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1126/29  |  提交时间：2012/06/25
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, JY;  Wang, XF;  Wang, XD;  Ma, HL;  Fu, YC;  Ji, A;  Song, ZT;  Feng, SL;  Yang, FH
Adobe PDF(831Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1050/347  |  提交时间：2013/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, HL;  Wang, XF;  Zhang, JY;  Wang, XD;  Hu, CX;  Yang, X;  Fu, YC;  Chen, XG;  Song, ZT;  Feng, SL;  Ji, A;  Yang, FH;  Yang, FH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China,fhyang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(1147Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1087/378  |  提交时间：2012/01/06
多位高集成度垂直结构存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-17
发明人:  付英春;  王晓峰;  杨富华
Adobe PDF(847Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：756/94  |  提交时间：2014/12/25
环形垂直结构相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:  付英春;  王晓峰;  杨富华
Adobe PDF(1094Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：797/86  |  提交时间：2014/11/17
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
Adobe PDF(890Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：833/86  |  提交时间：2014/10/29
与光刻分辨率无关的水平相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  季安;  杨富华
Adobe PDF(767Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：612/96  |  提交时间：2014/10/31
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
Adobe PDF(708Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：822/124  |  提交时间：2014/10/31