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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: J.L. Yu; Y.H. Chen; S.Y. Cheng; X.L. Zeng; Y. Liu; Y.F. Lai; Q. Zheng
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: J.L. Yu; S.Y. Cheng; Y.F. Lai; Q. Zheng; Y.H. Chen; C.G. Tang
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: X. Rong; X. Q. Wang; G. Chen; X. T. Zheng; P. Wang; F. J. Xu; Z. X. Qin; N. Tang; Y. H. Chen; L. W. Sang; M. Sumiya; W. K. Ge; B. Shen
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: J.L. Yu; Y.F. Lai; S.Y. Cheng; Q. Zheng; Y.H. Chen
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yu, JL; Cheng, SY; Lai, YF; Zheng, Q; Chen, YH
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song HP (Song H. P.); Zheng GL (Zheng G. L.); Yang AL (Yang A. L.); Guo Y (Guo Y.); Wei HY (Wei H. Y.); Li CM (Li C. M.); Yang SY (Yang S. Y.); Liu XL (Liu X. L.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Wang ZG (Wang Z. G.); Song, HP, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: songhp@semi.ac.cn; xlliu@semi.ac.cn
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| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平 ; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 郭严; 宋华平; 郑高林; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
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| 硅基III-V外延材料图形异质键合均匀轴向力施力装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-22
发明人: 张冶金; 郑婉华; 渠红伟
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| 基于倏逝场耦合及周期微结构选频的混合硅单模激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-19
发明人: 张冶金; 渠红伟; 王海玲; 马绍栋; 郑婉华
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