SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共9条,第1-9条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(255Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1758/298  |  提交时间:2011/08/31
一种氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  马平;  王军喜;  刘乃鑫;  路红喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1519/267  |  提交时间:2011/08/31
一种增强LED出光效率的粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫建昌;  王军喜;  刘乃鑫;  魏同波;  魏学成;  马平;  刘喆;  曾一平;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1867/300  |  提交时间:2011/08/31
一种LED外延片的切裂方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  孔庆峰;  郭金霞;  纪攀峰;  马平;  王文军;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(1296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:658/3  |  提交时间:2016/08/30
制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26
发明人:  汪炼成;  马骏;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:630/82  |  提交时间:2014/10/31
利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03
发明人:  汪炼成;  马骏;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
Adobe PDF(622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:920/87  |  提交时间:2014/10/29
在第一次光刻工艺中对准方形晶圆的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22
发明人:  孔庆峰;  郭金霞;  马平;  王丽;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(466Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:665/113  |  提交时间:2014/11/05
无线隔离驱动式的照明系统 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  詹腾;  马骏;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:586/1  |  提交时间:2016/09/02
在SiC衬底上形成有导光层的GaN基LED的制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  孔庆峰;  马平;  纪攀峰;  卢鹏志;  杨华;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(799Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:547/0  |  提交时间:2016/09/02