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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体照明研... [16]
作者
刘志强 [2]
伊晓燕 [2]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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InGaN/GaN LED载流子泄漏的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:
黄洋
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浏览/下载:883/50
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提交时间:2018/05/29
无权访问的条目
学位论文
作者:
黄宇亮
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浏览/下载:601/122
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提交时间:2016/06/06
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Huang, WB
;
Wang, GL
;
Gao, FQ
;
Qiao, ZT
;
Wang, G
;
Chen, MJ
;
Deng, Y
;
Tao, L
;
Zhao, Y
;
Fan, XK
;
Sun, LF
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浏览/下载:615/84
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ren, MK
;
Huang, H
;
Wu, HB
;
Zhao, DN
;
Zhu, HC
;
Liu, Y
;
Sun, BJ
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浏览/下载:403/60
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提交时间:2015/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Fan, XK
;
Tao, L
;
Deng, Y
;
Wang, G
;
Zhang, J
;
Zhao, Y
;
Huang, WB
;
Zhao, HY
;
Sun, LF
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浏览/下载:701/150
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
黄亚军
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王良臣
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:1826/705
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提交时间:2011/08/16
高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
黄亚军
;
樊中朝
;
刘志强
;
伊晓燕
;
季安
;
王军喜
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浏览/下载:1678/231
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提交时间:2011/08/31
GaN基发光二极管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:
黄亚军
;
王莉
;
樊中朝
;
刘志强
;
伊晓燕
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浏览/下载:1009/110
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提交时间:2014/12/25
蓝宝石图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:
段瑞飞
;
季安
;
伊晓燕
;
王莉
;
樊中朝
;
郭金霞
;
潘岭峰
;
黄亚军
;
赵冀
;
李镇
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浏览/下载:1039/96
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提交时间:2014/11/17
一种空气中稳定的钙钛矿薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:
黄芳
;
袁国栋
;
李晋闽
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浏览/下载:556/3
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提交时间:2016/09/28