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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [17]
作者
伊晓燕 [3]
文献类型
专利 [12]
期刊论文 [5]
发表日期
2016 [1]
2014 [3]
2011 [1]
语种
中文 [4]
英语 [3]
出处
AIP ADVANC... [1]
Applied Op... [1]
CRYSTENGCO... [1]
IEEE TRANS... [1]
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收录类别
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专题:中科院半导体照明研发中心
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第一作者单位
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专题:中国科学院半导体研究所
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
X. L. HU
;
L. B. SUN
;
BEIBEI ZENG
;
L. S. WANG
;
Z. G. YU
;
S. A. BAI
;
S. M. YANG
;
L. X. ZHAO
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Q. LI
;
M. QIU
;
R. Z. TAI
;
H. J. FECHT
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J. Z. JIANG
;
D. X. ZHANG
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浏览/下载:463/3
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提交时间:2017/03/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu, Yang
;
Zhao, Jia
;
Yuan, Cadmus Chang-Ann
;
Zhang, Guoqi Q
;
Sun, Fenglian
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浏览/下载:636/121
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提交时间:2015/03/20
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, TB
;
Wu, K
;
Lan, D
;
Sun, B
;
Zhang, YH
;
Chen, Y
;
Huo, ZQ
;
Hu, Q
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
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浏览/下载:832/89
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang, JK
;
Wei, TB
;
Huo, ZQ
;
Zhang, YH
;
Hu, Q
;
Wei, XC
;
Sun, BJ
;
Duan, RF
;
Wang, JX
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浏览/下载:548/75
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提交时间:2015/05/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈弘毅
;
陈宇
;
孙玲
;
郭睿倩
;
潘庆
;
何杰
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浏览/下载:1177/278
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提交时间:2012/07/17
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
孙波
;
王国宏
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浏览/下载:1420/234
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提交时间:2012/09/09
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张逸韵
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
孙波
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:1963/355
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提交时间:2012/09/09
自支撑氮化镓衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
孙波
;
伊晓燕
;
刘志强
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
王国宏
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浏览/下载:1624/285
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提交时间:2012/09/09
制备微纳米柱发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人:
安铁雷
;
孙波
;
孔庆峰
;
魏同波
;
段瑞飞
Adobe PDF(633Kb)
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浏览/下载:638/81
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提交时间:2014/10/24
制作微纳米柱发光二极管的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03
发明人:
安铁雷
;
孙波
;
孔庆峰
;
魏同波
;
段瑞飞
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浏览/下载:858/65
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提交时间:2014/10/24