SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
制作微纳米柱发光二极管的方法
安铁雷; 孙波; 孔庆峰; 魏同波; 段瑞飞
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-04-03 ; 2013-04-03
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体器件
申请日期2012-12-27
申请号CN201210579602.8
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25169
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
安铁雷,孙波,孔庆峰,等. 制作微纳米柱发光二极管的方法.
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