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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen L (Chen L.);  Yan S (Yan S.);  Xu PF (Xu P. F.);  Lu J (Lu J.);  Deng JJ (Deng J. J.);  Ji Y (Ji Y.);  Wang KY (Wang K. Y.);  Zhao JH (Zhao J. H.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu PF (Xu P. F.);  Nie SH (Nie S. H.);  Meng KK (Meng K. K.);  Wang SL (Wang S. L.);  Chen L (Chen L.);  Zhao JH (Zhao J. H.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SL;  Chen L;  Meng KK;  Xu PF;  Meng HJ;  Lu J;  Yan WS;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng KK;  Wang SL;  Xu PF;  Chen L;  Yan WS;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. jhzhao@red.semi.ac.cn
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
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