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| 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12 发明人: 张兴旺 ; 蔡培锋; 游经碧 ; 范亚明 ; 高 云; 陈诺夫
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| 利用p型掺杂的硅衬底生长高结晶质量氧化锌纳米棒的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007 发明人: 蔡芳芳; 范海波; 张攀峰; 刘祥林
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| 生长氧化锌纳米棒阵列的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994 发明人: 范海波; 杨少延; 张攀峰; 魏鸿源 ; 刘祥林; 朱勤生; 陈涌海; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Cai PF; You JB ; Zhang XW ; Dong JJ; Yang XL; Yin ZG ; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Lu J; Xu PF; Zhu YG; Meng HJ; Chen L ; Wang WZ; Zhang XH ; Zhao JH; Pan GQ; Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jhzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: You JB ; Zhang XW ; Cai PF; Dong JJ; Gao Y; Yin ZG ; Chen NF; Wang RZ; Yan H; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Yu HL; Zhang XM; Wang PF; Ni HQ; Niu ZC; Lai TS; Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: zcniu@red.semi.ac.cn; stslts@mail.sysu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Li T; Zhu YG; Zhang XH ; Ma SS; Wang PF; Niu ZC; Li T Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xinhuiz@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张雪; 赵鹏飞; 李强; 刘波; 马建军
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| δ掺杂制备P型氧化锌薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 魏鸿源 ; 刘祥林; 张攀峰; 焦春美 ; 王占国
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