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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
薛春来 [1]
文献类型
会议论文 [6]
发表日期
2007 [3]
2005 [1]
2002 [1]
语种
英语 [6]
出处
Silicon Ca... [2]
2005 2nd I... [1]
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JOURNAL OF... [1]
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Micro-raman investigation of defects in a 4H-SiC homoepilayer
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Micro-raman
4h-sic
Defects
3c-inclusions
Triangle-shaped Inclusion
Epitaxial Layers
Silicon-carbide
Homoepitaxial growth of 4H-SiC multi-epilayers and its application to UV detection
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2006丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Newcastle upon Tyne, ENGLAND, SEP, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxy
4h-sic
Multi-epilayer
Uv Detection
p(+)-pi-n(-)
Ultraviolet Photodetector
Epitaxial-growth
Vertical PIN ultraviolet photodetectors based on 4H-SiC homoepilayers
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Vancouver, CANADA, AUG 13-17, 2006
作者:
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Ning, J (Ning, J.)
;
Zhao, YM (Zhao, Y. M.)
;
Luo, MC (Luo, M. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Avalanche Photodiodes
Area
Si-based membrane resonant cavity enhanced photodetectors
会议论文
2005 2nd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Antwerp, BELGIUM, SEP 21-23, 2005
作者:
Cheng BW
;
Yao F
;
Xue CL
;
Zhang JU
;
Mao RW
;
Li CB
;
Luo LP
;
Zuo YH
;
Wang QM
;
Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
1.3 Mu-m
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Si-ge Alloys
Growth
Layers
Desorption and Ripening of Low Density InAs Quantum Dots
会议论文
JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, JUN 04-06, 2007
作者:
Zhan, F
;
Huang, SS
;
Niu, ZC
;
Ni, HQ
;
Xiong, YH
;
Fang, ZD
;
Zhou, HY
;
Luo, Y
;
Huang, SS, Tsinghua Univ, Dept Elect Engn, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100084, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Quantum Dots