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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [5]
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魏鸿源 [1]
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
时凯
;
刘祥林
;
魏鸿源
;
焦春美
;
王俊
;
李志伟
;
宋亚峰
;
杨少延
;
朱勤生
;
王占国
Adobe PDF(580Kb)
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浏览/下载:1118/184
  |  
提交时间:2012/09/09
一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:
王建霞
;
李志伟
;
赵桂娟
;
桑玲
;
刘长波
;
魏鸿源
;
焦春美
;
杨少延
;
刘祥林
;
朱勤生
;
王占国
Adobe PDF(391Kb)
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收藏
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浏览/下载:1032/98
  |  
提交时间:2014/10/29
一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:
赵桂娟
;
李志伟
;
桑玲
;
刘贵鹏
;
刘长波
;
谷承艳
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
Adobe PDF(822Kb)
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浏览/下载:993/85
  |  
提交时间:2014/10/29
制备非极性A面GaN薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
发明人:
赵桂娟
;
李志伟
;
桑玲
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
杨少延
;
王占国
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浏览/下载:837/97
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提交时间:2014/10/31
一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
姚丹阳
;
张锦川
;
周予虹
;
贾志伟
;
闫方亮
;
王利军
;
刘俊岐
;
刘峰奇
;
王占国
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提交时间:2016/08/30