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| 一种大功率半导体量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1463/167  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种亚分子单层量子点激光器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 于理科; 徐波; 王占国; 金鹏; 赵昶; 张秀兰 Adobe PDF(681Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1195/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制造半导体双极器件的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 徐嘉东; 李建明; 张秀兰 Adobe PDF(209Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1159/146  |  提交时间:2009/06/11 |
| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1527/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1246/207  |  提交时间:2012/09/09 |
| 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1329/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1217/163  |  提交时间:2012/09/09 |
| 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1209/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领 Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1621/265  |  提交时间:2011/08/31 |
| 硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06 发明人: 袁丽君; 于红艳; 周旭亮; 王火雷; 潘教青 Adobe PDF(520Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:901/106  |  提交时间:2014/10/24 |