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| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1468/211  |  提交时间:2012/09/09 |
| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1555/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1446/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 孙波; 伊晓燕; 刘志强; 汪炼成; 郭恩卿; 王国宏 Adobe PDF(219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1779/285  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制作纳米级柱形阵列氮化镓基正装结构发光二级管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-06, 2013-03-06 发明人: 程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(374Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:664/101  |  提交时间:2014/10/24 |
| 制作柔性金字塔阵列GaN基半导体发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20 发明人: 程滟; 汪炼成; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:663/85  |  提交时间:2014/10/24 |
| 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-26 发明人: 汪炼成; 马骏; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(533Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:718/82  |  提交时间:2014/10/31 |
| 利用热应力化学腐蚀分离蓝宝石和氮化镓基外延层的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-03 发明人: 汪炼成; 马骏; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(622Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:997/87  |  提交时间:2014/10/29 |
| 柔性透明导电层互联的阵列式LED器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31 发明人: 程滟; 詹腾; 郭金霞; 李璟; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(503Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1012/73  |  提交时间:2014/11/17 |
| 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:735/73  |  提交时间:2014/10/29 |