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| 基于标准CMOS工艺的积分电容及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999 发明人: 马文龙; 石 寅; 张耀辉 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1292/210  |  提交时间:2010/03/19 |
| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1257/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 杨富华 Adobe PDF(762Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1029/129  |  提交时间:2009/06/11 |
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1158/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 王立彬; 郭金霞; 伊晓燕 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1169/164  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种铁电晶体材料的极化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102122105A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 范学东; 马传龙; 王海玲; 王宇飞; 马绍栋; 郑婉华 Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1496/308  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种制备大厚度周期极化铁电晶体材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102321920A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑婉华; 马传龙; 范学东; 渠红伟; 彭红玲; 王海玲; 马绍栋 Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/324  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种对铁电晶体材料进行极化的极化电极 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102436114A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑婉华; 范学东; 马传龙; 马绍栋; 齐爱谊 Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1403/304  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种大厚度周期极化铁电晶体材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102520561A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 郑婉华; 马传龙; 范学东; 马绍栋; 齐爱谊 Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1441/250  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种应用纳秒激光精确控温3D打印高分子材料的装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-08-13 发明人: 林学春; 李梦龙; 张志研; 赵树森; 于海娟; 马永梅; 孙文华; 徐坚; 董金勇; 李春成; 符文鑫 Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:916/91  |  提交时间:2014/12/25 |