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| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉 Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1749/254  |  提交时间:2011/08/31 |
| 基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 发明人: 康贺; 王晓亮; 肖红领; 王翠梅; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 崔磊 Adobe PDF(566Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:833/108  |  提交时间:2014/11/24 |
| 栅压自举开关电路 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-19 发明人: 马波; 袁凌; 曹晓东; 张强; 郝志坤; 石寅 Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1119/125  |  提交时间:2014/10/24 |
| 氧化物膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 王晓峰; 尹玉华; 李丽娟; 霍自强; 王军喜; 李晋闽; 曾一平 Adobe PDF(1106Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:937/72  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种高速快闪加交替比较式逐次逼近模数转换器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02 发明人: 边程浩; 陈铭义; 周立国; 石寅 Adobe PDF(775Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:982/102  |  提交时间:2014/11/24 |
| 过采样64倍有效位数为18位的Σ-Δ调制电路 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 杜兴; 马波; 袁凌; 曹晓东; 石寅 Adobe PDF(825Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:826/103  |  提交时间:2014/11/24 |
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:556/0  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉 Adobe PDF(414Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:562/2  |  提交时间:2016/09/28 |
| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳 Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/3  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 王晓亮; 李巍; 肖红领; 冯春; 姜丽娟; 殷海波; 王翠梅; 李百泉 Adobe PDF(413Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:623/3  |  提交时间:2016/09/29 |