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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [9]
作者
韩培德 [9]
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2004 [1]
2003 [1]
2002 [4]
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语种
英语 [9]
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语种:英语
作者:韩培德
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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen Z
;
Chua SJ
;
Yuan HR
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Han PD
;
Wang ZG
;
Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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提交时间:2010/10/29
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Semiconducting Iii-v Materials
Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures
Carrier Confinement
Effect Transistors
Photoluminescence
Mobility
Heterojunction
Interface
Hfets
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Wang XH
;
Han PD
;
Wang D
;
Yuan HR
;
Wang ZG
;
Li GH
;
Fang ZL
;
Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Lu DC
;
Wang XH
;
Liu XL
;
Yuan HR
;
Han PD
;
Wang D
;
Wang ZG
;
Li GH
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Yuan HR
;
Lu DC
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Zhu QS
;
Wang ZG
;
Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
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期刊论文
作者:
Yuan HR
;
Chen Z
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lu Y
;
Liu XL
;
Lu DC
;
Yuan HR
;
Chen Z
;
Fan TW
;
Li YF
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Wang ZG
;
Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Z
;
Lu DC
;
Wang XH
;
Liu XL
;
Han PD
;
Yuan HR
;
Wang D
;
Wang ZG
;
He ST
;
Li HL
;
Yan L
;
Chen XY
;
Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Chen Z
;
Wang XH
;
Wang D
;
Han PD
;
Yuan HR,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yuan HR
;
Lu DC
;
Liu XL
;
Han PD
;
Wang XH
;
Wang D
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1589/179
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提交时间:2010/10/29
Algan/gan Heterostructures
In-doping
2deg
Electron Sheet Density
X-ray Diffraction
Etching
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Phase Epitaxy
Mobility
Growth
Films