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| 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 在Si衬底上生长ZnO薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 氧化物的化学气相沉积制备装置及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 段垚; 王晓峰; 崔军朋; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 林涛; 段玉鹏; 郑凯; 崇峰; 马骁宇
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| 高纯氧化锌的化学气相沉积装置及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 段垚; 崔军朋; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱蓉辉; 曾一平; 卜俊鹏; 惠峰; 郑红军; 赵冀 ; 高永亮
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| 直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人: 李晋闽; 曾一平; 惠峰; 卜俊鹏; 王文军; 郑红军; 孙红方
收藏 | 浏览/下载：2168/0 | 提交时间：2010/04/13
六英寸半绝缘砷化镓单晶 |
| 湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 曾一平; 孙国胜; 黄风义; 王雷; 赵万顺
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| 制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 曾一平; 黄风义; 王保强; 朱占平
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| 中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓峰; 曾一平
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