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基于InAsGaSb 二类超晶格的新型红外探测器研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  鄢绍龙
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氧化限制型VCSEL横向模式控制及可调性研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  邵泓焰
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水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  于红艳;  周旭亮;  邵永波;  王宝军;  潘教青;  王圩
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掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  宋华平;  杨安丽;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1452/243  |  提交时间：2011/08/31
利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1306/206  |  提交时间：2011/08/31
生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王振华;  刘祥林;  杨少延;  杨安丽
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1342/262  |  提交时间：2011/08/31
量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  邵永波;  赵玲娟;  于红艳;  潘教青;  王宝军;  王圩
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利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  时凯;  刘祥林;  魏鸿源;  焦春美;  王俊;  李志伟;  宋亚峰;  杨少延;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1072/184  |  提交时间：2012/09/09
在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  桑玲;  王俊;  魏鸿源;  焦春美;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
Adobe PDF(288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1585/250  |  提交时间：2012/09/09