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| 倒锥波导耦合器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-27, 2010-08-12
发明人: 尹小杰; 王 玥; 吴远大; 安俊明; 李建光; 王红杰; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang S (Zhang Shuang); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Duan LH (Duan Li-Hong); Liu WB (Liu Wen-Bao); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yang H (Yang Hui); Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 沈海波; 郭亨群; 王国立; 王加贤; 吴志军; 宋江婷; 徐骏; 陈坤基; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 成步文 ; 薛春来; 罗丽萍; 韩根全; 曾玉刚; 薛海韵; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宋江婷; 郭亨群; 王加贤; 吴志军; 王国立; 沈海波; 徐骏; 陈坤基; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王翠鸾; 韩淋; 吴芃; 刘媛媛; 李伟; 冯小明; 王勇刚; 刘素平; 马骁宇
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| 紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王鵫; 吴远大; 李建光; 王红杰; 安俊明; 胡雄伟
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| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 任芸芸; 徐波; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国
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| 半导体激光器热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王大拯; 冯晓明; 王俊; 吕卉; 李伟; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇
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