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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang B;  Chen J;  Wang X;  Wu AM;  Luo JX;  Zhang MA;  Wu YX;  Zhu JJ;  Yang H;  Zhang B Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol State Key Lab Funct Mat Informat Shanghai 200050 Peoples R China. E-mail Address: bozhang@mail.sim.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨威;  姬扬;  罗海辉;  阮学忠;  王玮竹;  赵建华
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