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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2008
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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85
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95
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一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
徐云
;
陈良惠
;
李玉璋
;
曹青
;
宋国峰
;
郭良
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浏览/下载:1602/195
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提交时间:2009/06/11
红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
徐云
;
陈良惠
;
张玉芳
;
宋国峰
;
李玉璋
;
种明
;
郑婉华
;
曹青
Adobe PDF(723Kb)
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浏览/下载:1492/220
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提交时间:2009/06/11
量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王志成
;
徐波
;
刘峰奇
;
陈涌海
;
王占国
;
石礼伟
;
梁凌燕
Adobe PDF(568Kb)
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浏览/下载:1620/222
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
金鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王智杰
;
王占国
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浏览/下载:1594/236
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备量子环结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王占国
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浏览/下载:1457/216
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提交时间:2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:1308/150
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提交时间:2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, XW
;
Xu, Q
;
Fan, WJ
;
Luo, JW
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Zhang, XW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu, Q
;
Zhang, XW
;
Fan, WJ
;
Li, SS
;
Xia, JB
;
Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Nanyang Ave, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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提交时间:2010/03/08