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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵有文;  董志远;  段满龙;  魏学成
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB (Cheng YuanBing);  Pan JQ (Pan JiaoQing);  Liang S (Liang Song);  Feng W (Feng Wen);  Liao ZY (Liao Zaiyi);  Zhou F (Zhou Fan);  Wang BJ (Wang, BaoJun);  Zhao LJ (Zhao LingJuan);  Zhu HL (Zhu HongLiang);  Wang W (Wang Wei);  Cheng, YB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ybcheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma ZY (Ma Zhi-Yong);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Luo WJ (Luo Wei-Jun);  Tang J (Tang Jian);  Li JP (Li Jian-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ZY (Li Zhi-Yong);  Liu JW (Liu Jing-Wei);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  电子邮箱地址: lizhy@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  董志远;  赵有文;  魏学成;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏学成;  赵有文;  董志远;  李晋闽
Adobe PDF(426Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1027/366  |  提交时间：2010/11/23