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| 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 丁颖; 王圩; 潘教青 ; 王宝军; 陈娓兮
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| 一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 韩修训; 李杰民; 黎大兵; 陆沅; 王晓晖
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| 磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭瑜; 刘峰奇; 李成明; 刘俊岐; 王占国
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| 一种磷化铟基量子级联半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭瑜; 王春华; 刘俊岐; 刘峰奇; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘峰奇; 郭瑜; 李路; 邵晔; 刘俊岐; 路秀真; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 谷秧波; 武妍; 王守觉; 朱君波
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 武妍; 王守觉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 武妍; 金明曦; 王守觉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 吴燕; 朱贤方; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 潘教青; 赵谦; 朱洪亮; 赵玲娟; 丁颖; 王宝军; 周帆; 王鲁峰; 王圩
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