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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [6]
作者
伊晓燕 [1]
文献类型
专利 [6]
发表日期
2006 [6]
语种
中文 [6]
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SEMI OpenIR
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共6条,第1-6条
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发表日期:2006
语种:中文
文献类型:专利
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条数/页:
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65
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80
85
90
95
100
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提交时间升序
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发表日期升序
发表日期降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
作者升序
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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
王建林
;
伊小燕
;
马龙
Adobe PDF(385Kb)
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收藏
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浏览/下载:1090/166
  |  
提交时间:2009/06/11
对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
姜磊
;
白云霞
;
王莉
Adobe PDF(207Kb)
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收藏
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浏览/下载:1335/204
  |  
提交时间:2009/06/11
制备稀磁半导体Ga
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈晨龙
;
陈诺夫
;
吴金良
Adobe PDF(240Kb)
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收藏
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浏览/下载:1022/171
  |  
提交时间:2009/06/11
在镓砷衬底上生长铟砷锑薄膜的液相外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
彭长涛
;
陈诺夫
;
吴金良
;
陈晨龙
Adobe PDF(333Kb)
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收藏
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浏览/下载:1048/170
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提交时间:2009/06/11
磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈晨龙
;
陈诺夫
;
吴金良
Adobe PDF(328Kb)
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浏览/下载:861/129
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提交时间:2009/06/11
背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马龙
;
王良臣
;
王立彬
;
郭金霞
;
伊晓燕
Adobe PDF(550Kb)
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浏览/下载:1113/164
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提交时间:2009/06/11