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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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制造半导体双极器件的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐嘉东;  李建明;  张秀兰
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高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  牛智川;  徐晓华;  倪海桥;  徐应强;  韩勤;  吴荣汉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang XD;  Xu ZY;  Sun Z;  Sun BQ;  Li GH;  Sou IK;  Ge WK;  Yang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(59Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1056/332  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, DB;  Dong, X;  Huang, J;  Liu, X;  Xu, Z;  Zhang, Z;  Wang, Z;  Li, DB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dbli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao Q;  Zhang HZ;  Xu XY;  Wang Z;  Xu J;  Yu DP;  Li GH;  Su FH;  Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Electron Microscopy Lab, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
Adobe PDF(205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1635/651  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, XD;  Xu, ZY;  Sun, Z;  Ji, Y;  Sun, BQ;  Sou, IK;  Ge, WK;  Yang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zyxu@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(59Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1307/313  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu M;  Chen XH;  Xu Z;  Teng F;  Yi LX;  Gao DW;  Guo LQ;  Liu, M, Beijing Jiaotong Univ, Inst Optoelect Technol, Beijing 100044, Peoples R China.
Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：953/243  |  提交时间：2010/03/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, W;  Li, DB;  Zhang, ZY;  Li, CR;  Zhang, Z;  Xu, B;  Wang, ZG;  Lu, W, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Lab Electron Microscopy, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: lw@blem.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  唐君;  陈弘达;  申荣铉;  裴为华;  贾九春;  周毅;  许兴胜
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