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带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
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制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Mao RW;  Zuo YH;  Zhao L;  Shi WH;  Luo LP;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(121Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：983/337  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Li CM;  Zhang ZY;  Liu FQ;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(105Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1507/532  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Mao RW;  Li CB;  Zuo YH;  Cheng BW;  Teng XG;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Mao, RW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: maorongwei@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(134Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：858/297  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Cheng BW;  Mao RW;  Zuo YH;  Shi WH;  Huang CJ;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1060/380  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Huang CJ;  Cheng BW;  Zuo YH;  Mao RW;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cbli@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(97Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：862/271  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li CB;  Li HX;  Mao RW;  Zuo YH;  Shi WH;  Zhao L;  Luo LP;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Li, CB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration 会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhang, YH;  Li, CJ;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Deep-level Defects  Fe-doped Inp  Grown Inp  Spectroscopy  Resonance  Wafer  
Fabrication of low cost Si-based tunable high performance resonant cavity enhanced photodetectors 会议论文
2004 IST IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON GROUP IV PHOTONICS, Hong Kong, PEOPLES R CHINA, SEP 29-OCT 01, 2004
作者:  Mao RW;  Li CB;  Zuo YH;  Cheng BW;  Teng XG;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Mao, RW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Joint Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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