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无破坏性检测高电子迁移率晶体管外延材料性能的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  崔利杰;  曾一平;  王保强;  朱战平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张思霞;  孙佳胤;  易万兵;  陈静;  金波;  陈猛;  张正选;  张国强;  王曦
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王志海;  赵占强;  王守觉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  马骁宇;  付圣贵;  范万德;  李强;  袁树忠;  董孝义;  宋晏蓉;  张志刚
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