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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川
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| 应用微波光子晶体的共面波导结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
发明人: 张 昀; 哈森其其格; 任 民; 鞠 昱; 陈 伟; 谢 亮; 祝宁华
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| 利用准分子激光退火制作SiGe或Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩根全; 曾玉刚; 余金中
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| 四端口微带传输线网络串扰测量装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张昀; 哈森其其格; 李亮; 祝宁华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yang CL; Cui XD; Shen SQ; Xu ZY; Ge WK; Yang CL Univ Hong Kong Dept Phys Hong Kong Hong Kong Peoples R China. E-mail Address: xdcui@hku.hk
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou B; Pan SW; Chen R; Chen SY; Li C; Lai HK; Yu; JZ; Zhu XF; Chen, SY, Xiamen Univ, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail Address: sychen@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xue HY; Xue CL ; Cheng BW; Yu YD; Wang QM; Xue HY Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: cbw@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu L; Chen NF; Wang Y; Bai YM; Cui M; Gao FB; Liu L Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD; Li C Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: lich@xmu.edu.cn
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| Si based quantum cascade structure: from energy band structures design to materials growth 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, JUN 09-14, 2008
作者: Yu, JZ; Han, GQ; Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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