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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
徐波 [3]
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江德生 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2002 [1]
2000 [2]
1998 [2]
语种
英语 [5]
出处
PHYSICA E,... [2]
APPLIED SU... [1]
COMPOUND S... [1]
INTERNATIO... [1]
资助项目
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Symmetry in the diagonal self-assembled InAs quantum wire arrays on InP substrate
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wu J
;
Zeng YP
;
Cui LJ
;
Zhu ZP
;
Wang BX
;
Wang ZG
;
Wu J Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Inp(001)
Epitaxy
Gaas
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Sun ZZ
;
Liu FQ
;
Wu J
;
Ye XL
;
Ding D
;
Xu B
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(192Kb)
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浏览/下载:1546/262
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提交时间:2010/11/15
Self-assembled Quantum Dots
Inp Substrate
High Index
Mbe
In(Ga
Molecular-beam-epitaxy
Al)as/inAlas/inp
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
Photoluminescence
Inp(001)
Growth
Lasers
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Ye XL
;
Zhou W
;
Ding D
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1484/285
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dots
High Index
Molecular Beam Epitaxy
Photoluminescence
Surface Segregation
Oriented Gaas
Ingaas
Islands
Wells
Disks
Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix
会议论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 123, CARDIFF, WALES, JUN 23-27, 1997
作者:
Chen YH
;
Yang Z
;
Wang ZG
;
Xu B
;
Liang JB
;
Qian JJ
;
Chen YH Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong.
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提交时间:2010/11/15
Znse/gaas Interface
States
Electronic and vibrational Raman scattering in resonance with yellow luminescence transitions in GaN on sapphire substrate
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1997, 156, SAN DIEGO, CALIFORNIA, SEP 08-11, 1997
作者:
Jiang DS
;
Ramsteiner M
;
Brandt O
;
Ploog KH
;
Tews H
;
Graber A
;
Averbeck R
;
Riechert H
;
Jiang DS Paul Drude Inst Solid State Elect D-10117 Berlin Germany.
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提交时间:2010/11/15
Shallow Donors