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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王元立; 吴巨; 金鹏; 叶小玲; 张春玲; 黄秀颀; 陈涌海; 王占国
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| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽
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| 强磁场环境和液氮温度下的自旋相关输运测量系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088590.7, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 吴昊; 郑厚植; 谭平恒; 章昊; 朱汇; 申超
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| 低功耗全差分双模前置分频器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910076852.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 颜小舟; 邝小飞; 吴南健
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| 判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091400.7, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 孙晓明; 郑厚植; 章昊
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| 一种高密度低寄生的电容装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010123023.3, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 冯鹏; 吴南健
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| 基于分数分频频率综合器的多标准I/Q正交载波产生装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102122955A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-07-13, 2012-08-29
发明人: 楼文峰; 吴南健; 颜小舟; 耿志卿
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| 一种非对称的高速低功耗收发装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010256836.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-02-09, 2011-08-30
发明人: 章琦; 颜小舟; 冯鹏; 耿志清; 吴南健
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