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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
江德生 [1]
徐应强 [1]
牛智川 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2006 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1998 [2]
语种
英语 [5]
出处
1998 5TH I... [1]
APOC 2001:... [1]
INTEGRATED... [1]
Internatio... [1]
PHYSICA B-... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [5]
资助机构
Chinese In... [1]
Lee Hysan ... [1]
SPIE Int S... [1]
SPIE.; Chi... [1]
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Optical and electrical investigation of low dimensional self-assembled InAs quantum dot field effect transistors
会议论文
International Journal of Nanoscience丛书标题: International Journal of Nanoscience Series, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 24-27, 2004
作者:
Zeng, YX (Zeng, Yuxin)
;
Liu, W (Liu, Wei)
;
Yang, FH (Yang, Fuhua)
;
Xu, P (Xu, Ping)
;
Tan, PH (Tan, Pingheng)
;
Zheng, HZ (Zheng, Houzhi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Xing, YJ (Xing, Yingjie)
;
Yu, DP (Yu, Dapeng)
;
Zeng, YX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Inas Quantum Dot
Photoluminescence
Modulation-doped
Field Effect Transistor
Mu-m
Capping Layer
Selective intermixing of Ga(In)NAs/GaAs quantum well structures usingSiO(2) encapsulation and rapid thermal annealing
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Xu YQ
;
Li LH
;
Pan Z
;
Lin YW
;
Wang QM
;
Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Mu-m
Methods to tune the electronic states of self-organized InAs/GaAs quantum dots
会议论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 279 (1-3), HONG KONG, HONG KONG, JUN 21-25, 1999
作者:
Wang H
;
Niu ZC
;
Zhu HJ
;
Wang ZM
;
Jiang DS
;
Feng SL
;
Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Quantum Dot
Growth Interruption
Quantum Dot Laser
Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
;
Zhang W
;
Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Coherent Islands
Gaas
Growth
Dots
Dislocations
Temperature
Mechanisms
Si(001)
Ingaas
The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Yu Z
;
Yu JZ
;
Cheng BW
;
Lei ZL
;
Li DZ
;
Wang QM
;
Liang JW
;
Yu Z Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Si1-ycy Alloys
Ion implantatIon
Solid Phase Epitaxy Recrystallization