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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
作者
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2008 [5]
语种
英语 [5]
出处
2008 3RD I... [2]
SOLID STAT... [2]
2008 2ND I... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [5]
资助机构
IEEE.; Sta... [2]
SPIE.; Chi... [2]
IEEE. [1]
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:2008
语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy
会议论文
2008 2ND IEEE INTERNATIONAL NANOELECTRONICS CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, MAR 24-27, 2008
作者:
Liang, LY
;
Ye, XL
;
Jin, P
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
;
Liang, LY, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Induced Refractive-index
Growth
Lasers
Gaas
Fracture properties of silicon carbide thin films charcterized by bulge test of long membranes
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Yang, FH
;
Li, JM
;
Zhou, W, CAS, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Bulge Test Fracture Property
Silicon Carbide Thin Films
Weibull Distribution Function
Fracture properties of PECVD silicon nitride thin films by long rectangular memrane bulge test
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Li, Y
;
Yang, FH
;
Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Bulge Test
Fracture Property
Silicon Nitride
Weibull Distribution Function
High-efficiency GaN-based blue LEDs grown on nano-patterned sapphire substrates for solid-state lighting - art. no. 684103
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Yan, FW
;
Gao, HY
;
Zhang, Y
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, GH
;
Yang, FH
;
Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Gan
Mocvd
Led
Nano-pattern
Sem
Hrxrd
Pl
AlGaN layers grown on AlGaN buffer layer and GaN buffer layer using strain-relief interlayers - art. no. 68410S
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Liu, NX
;
Yan, JC
;
Liu, Z
;
Ma, P
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Liu, NX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Algan
Ht-algan Buffer
Ht-interlayers
Ultraviolet (Uv) Led