×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
潘教青 [1]
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2006 [7]
语种
英语 [7]
出处
JOURNAL OF... [2]
ICO20 Mate... [1]
JOURNAL OF... [1]
Nanophoton... [1]
Proceeding... [1]
THIN SOLID... [1]
更多...
资助项目
收录类别
其他 [7]
资助机构
Chinese As... [2]
Int Commis... [1]
Int Union ... [1]
SPIE. [1]
Zhejiang U... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
收录类别:其他
发表日期:2006
语种:英语
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S
会议论文
ICO20 Materials and Nanostructures丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Changchun, PEOPLES R CHINA, AUG 21-26, 2005
作者:
Li J
;
An JM
;
Wang HJ
;
Xia JL
;
Gao DS
;
Hu XW
;
Li, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(423Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1543/412
  |  
提交时间:2010/03/29
Porous Silicon
High quality microcrystalline Si films by hydrogen dilution profile
会议论文
THIN SOLID FILMS, BRATISLAVA, SLOVAKIA, SEP 15-20, 2002
作者:
Gu, JH (Gu, Jinhua)
;
Zhu, MF (Zhu, Meifang)
;
Wang, LJ (Wang, Liujiu)
;
Liu, FZ (Liu, Fengzhen)
;
Zhou, BQ (Zhou, Bingqing)
;
Ding, K (Ding, Kun)
;
Li, GH (Li, Guohua)
;
Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Coll Phys Sci, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: mfzhu@gucas.ac.cn
Adobe PDF(336Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1306/240
  |  
提交时间:2010/03/29
Microcrystalline Si Thin Film
Narrow stripe selective growth of InGaAlAs waveguides used for buried heterostructure lasers - art. no. 63210I
会议论文
Nanophotonic Materials III丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), San Diego, CA, AUG 13-14, 2006
作者:
Feng W
;
Pan JQ
;
Zhou F
;
Wang LF
;
Bian J
;
Wang BJ
;
An X
;
Zhao LJ
;
Zhu HL
;
Wang W
;
Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(520Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1473/268
  |  
提交时间:2010/03/29
Inp
High-quality-factor EH modes in microcylinder resonators predicted by 3D FDTD simulation
会议论文
Proceedings of International Symposium on Biophotonics Nanophotonics and Metamaterials, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, OCT 16-18, 2006
作者:
Yang YD (Yang Yue-De)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Luo XS (Luo Xian-Shu)
;
Chen Q (Chen Qin)
;
Yang, YD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(744Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1228/277
  |  
提交时间:2010/03/29
Whispering-gallery Modes
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(429Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1454/359
  |  
提交时间:2010/03/29
Mocvd
High-performance EML grown on taper-masked pattern substrates by ultra-low-pressure MOCVD
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Zhao, Q
;
Pan, JQ
;
Zhang, J
;
Zhu, HL
;
Wang, W
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(153Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1494/345
  |  
提交时间:2010/03/29
Selective Area Growth
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Yang, ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(222Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1354/300
  |  
提交时间:2010/03/29
Indium Phosphide