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| 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王立彬; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 郭德博; 王良臣 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1673/265  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王良臣; 伊晓燕; 刘志强 Adobe PDF(698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1317/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1468/211  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1764/234  |  提交时间:2011/08/31 |
| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 黄亚军; 樊中朝; 刘志强; 伊晓燕; 季安; 王军喜 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1678/231  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1675/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1872/266  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251509.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1591/268  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1555/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1447/248  |  提交时间:2011/08/31 |