GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法
周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
2009-10-21
专利权人中科院半导体研究所
公开日期4010
授权国家中国
专利类型发明
申请日期2008-04-16
语种中文
专利状态公开
申请号CN200810104243
专利代理人汤宝平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9038
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
周志强,郝瑞亭,汤 宝,等. GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法[P]. 2009-10-21.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
3454.pdf(550KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[周志强]的文章
[郝瑞亭]的文章
[汤 宝]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[周志强]的文章
[郝瑞亭]的文章
[汤 宝]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[周志强]的文章
[郝瑞亭]的文章
[汤 宝]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。