1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法
牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深
2002-10-02
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期2001-02-26
语种中文
申请号CN01104430.6
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3079
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
牛智川,封松林,杨富华,等. 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法[P]. 2002-10-02.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
01104430.pdf(802KB) 限制开放--请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[牛智川]的文章
[封松林]的文章
[杨富华]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[牛智川]的文章
[封松林]的文章
[杨富华]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[牛智川]的文章
[封松林]的文章
[杨富华]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。