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| 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 | |
| 牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深 | |
| 2002-10-02 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2001-02-26 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | CN01104430.6 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3079 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川,封松林,杨富华,等. 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法[P]. 2002-10-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 01104430.pdf（802KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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