SEMI OpenIR  > 光电子研究发展中心
一种驻极体电容式超声传感器及其制作方法
王小青; 宁瑾; 徐团伟; 俞育德; 魏清泉; 刘文文; 蒋莉娟
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-29
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2015-06-04
申请号CN201510301076.2
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27638
专题光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
王小青,宁瑾,徐团伟,等. 一种驻极体电容式超声传感器及其制作方法.
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一种驻极体电容式超声传感器及其制作方法.(535KB) 限制开放使用许可请求全文
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