| AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 | |
| 赵勇兵 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 王国宏 |
| 2016-05-27 | |
| Degree Grantor | 中国科学院大学 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 微电子学与固体电子学 |
| Keyword | Algan/gan Hfet 特征导通电阻 击穿电压 增强型器件 阈值电压 |
| Subject Area | 半导体材料 ; 半导体器件 ; 微电子学 |
| Date Available | 2016-06-01 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27127 |
| Collection | 中科院半导体照明研发中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 赵勇兵. AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究[D]. 北京. 中国科学院大学,2016. |
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| 博士毕业论文 赵勇兵（0531）.pdf（3734KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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