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InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李慧梅
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Ingaas/inp Apd  Ingaas/inalas Apd  增益  暗电流  击穿电压  扩散zn掺杂  
AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
Adobe PDF(3734Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：835/78  |  提交时间：2016/06/01
Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压