| GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 | |
| 陶东言 | |
| Subtype | 博士 |
| Thesis Advisor | 赵有文 |
| 2015-05-27 | |
| Degree Grantor | 中国科学院研究生院 |
| Place of Conferral | 北京 |
| Degree Discipline | 材料物理与化学 |
| Keyword | 稀磁半导体 Gan Gasb 表面钝化 肖特基器件 |
| Date Available | 2015-05-29 |
| Document Type | 学位论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26500 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 陶东言. GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2015. |
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| 博士毕业论文——GaN和GaSb基稀磁半（5924KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
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