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InAs/GaSb 超晶格长波红外焦平面器件 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
Authors:  韩玺
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分子束外延  Inas/gasb超晶格  长波红外  焦平面  光电探测  
反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
Authors:  黄文军
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Inas/gasb二类超晶格  反转型量子阱结构  电子迁移率  异质结光电晶体管  双色  
2-5 μm锑化物中红外探测器 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  向伟
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锑化物 红外探测器 雪崩光电二极管 Inas/gasb超晶格 势垒探测器  
窄禁带半导体InAs量子阱的光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
Authors:  李俊斌
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Inas/gasb异质结  背景载流子  双载流子霍尔模型  非平衡载流子寿命  时间分辨泵浦–探测反射率测量  光螺旋度依赖的光电流  
GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
GaSb单晶衬底表面形貌及残留缺陷研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  程雨
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锑化镓(gasb)  化学机械抛光  二次离子质谱(sims)  Xps  表面形貌  
无权访问的条目 学位论文
Authors:  王小耶
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未钝化的中波InAs/GaSb二类超晶格红外光电探测器暗 电流机制的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
Authors:  李琼
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Inas/gasb二类超晶格  红外探测器  暗电流  中波  
HgTe/CdTe及InAs/GaSb/AlSb低维材料体系的电子态性质 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2014
Authors:  庞蜜
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Hgte/cdte 量子阱  Inas/gasb超晶格  Inas/gasb耦合量子阱  二维拓扑绝缘体  窄禁带半导体  电子态结构  磁光吸收谱  
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yang GD;  Zhu F;  Dong S;  Yang, GD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. guandongyang@gmail.com
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