SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
一种制备图形化多孔硅结构的方法
赵永梅; 杨香; 季安; 张明亮; 韩国威; 宁瑾; 王晓东; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-03-19
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2013-12-19
申请号CN201310706907.5
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25458
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
赵永梅,杨香,季安,等. 一种制备图形化多孔硅结构的方法.
条目包含的文件
文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
一种制备图形化多孔硅结构的方法.pdf(686KB) 限制开放使用许可请求全文
个性服务
推荐该条目
保存到收藏夹
查看访问统计
导出为Endnote文件
谷歌学术
谷歌学术中相似的文章
[赵永梅]的文章
[杨香]的文章
[季安]的文章
百度学术
百度学术中相似的文章
[赵永梅]的文章
[杨香]的文章
[季安]的文章
必应学术
必应学术中相似的文章
[赵永梅]的文章
[杨香]的文章
[季安]的文章
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。