SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
一种紫外LED的制作方法; 一种紫外LED的制作方法
贠利君; 吴奎; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09
Country中国
Subtype发明
Abstract 本发明提供一种紫外LED的制作方法,包括下述步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上依次生长成核层和n型层;步骤3:在n型层上生长多量子阱层;步骤4:在多量子阱层上生长电子阻挡层和p型层,完成结构的生长。本发明可以解决白光固态照明中用紫外光激射RGB荧光粉产生白光这一方法中紫外LED输出功率低的问题。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN102148300A
Language中文
Status公开
Application Number CN201110063867.8
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23516
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
贠利君,吴奎,刘乃鑫,等. 一种紫外LED的制作方法, 一种紫外LED的制作方法. CN102148300A.
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