| 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管; 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管 |
| 马平; 王军喜; 魏学成; 曾一平; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种提高电子注入效率的氮化镓系发光二极管,其包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上,在该n型接触层的上面的一侧形成一台面；一下多周期n型电子耦合层制作在n型接触层上台面另一侧的上面；一下隧穿势垒层制作在下多周期n型电子耦合层上；一上多周期n型电子耦合层制作在下隧穿势垒层上；一上隧穿势垒层制作在上多周期n型电子耦合层上；一多周期活性发光层制作在上隧穿势垒层上；一负电极制作在n型接触层的台面上；一p型电子阻挡层制作在多周期活性发光层上；一p型接触层制作在p型电子阻挡层上；一正电极制作在p型接触层上,形成氮化镓系发光二极管的结构。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN102185056A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110115323.1
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23514
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
马平,王军喜,魏学成,等. 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管, 提高电子注入效率的氮化镓基发光二极管. CN102185056A.
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