| 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 | |
孙国胜; 刘兴昉 ; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽
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| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 本发明公开了一种碳化硅PIN微结构材料，包括：N型碳化硅衬底；位于该N型碳化硅衬底上的N-变浓度缓冲层；位于该N-变浓度缓冲层上的本征层；以及位于该本征层上的P+帽层。本发明同时公开了一种碳化硅PIN微结构材料的制作方法。本发明能制备表面光亮、电阻率均匀的SiC外延材料，其本征外延层背景载流子浓度可低至1015数量级，适用于半导体大功率电子电力器件。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Patent Number | CN200910237845.1 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910237845.1 |
| Patent Agent | 周国城 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22321 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙国胜,刘兴昉,王雷,等. 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法. CN200910237845.1. |
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| CN200910237845.1.pdf（406KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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