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一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法
孙国胜; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种碳化硅PIN微结构材料,包括:N型碳化硅衬底;位于该N型碳化硅衬底上的N-变浓度缓冲层;位于该N-变浓度缓冲层上的本征层;以及位于该本征层上的P+帽层。本发明同时公开了一种碳化硅PIN微结构材料的制作方法。本发明能制备表面光亮、电阻率均匀的SiC外延材料,其本征外延层背景载流子浓度可低至1015数量级,适用于半导体大功率电子电力器件。
metadata_83半导体材料科学中心
Patent NumberCN200910237845.1
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910237845.1
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22321
Collection半导体材料科学中心
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GB/T 7714
孙国胜,刘兴昉,王雷,等. 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法. CN200910237845.1.
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