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一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-31
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法,在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物,使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂,使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明,实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂,不但能够改善材料的晶体质量,降低材料的位错,而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后,可以对GaN基LED和LD的n型和p型掺杂区域进行减薄,提高了利用MOCVD外延的效率,节约了外延的材料和消耗的能源。
metadata_83中科院半导体照明研发中心
Patent NumberCN200910241697.0
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910241697.0
Patent Agent周国城
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22163
Collection中科院半导体照明研发中心
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GB/T 7714
纪攀峰,李京波,闫建昌,等. 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法. CN200910241697.0.
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