| Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 | |
| 孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-30 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种III族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNIII族氮化物半导体材料。 |
| metadata_83 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Patent Number | CN200910085917.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910085917.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22057 |
| Collection | 集成光电子学国家重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 孙苋,刘文宝,朱建军,等. Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法. CN200910085917.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910085917.5.pdf（462KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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