SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法
孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2011-08-30
Country中国
Subtype发明
Abstract一种III族氮化物纳米材料的生长方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜;步骤2:采用两步快速热退火方法,使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒;步骤3:用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模,采用干法刻蚀SiO2层,形成SiO2纳米柱;步骤4:用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模,采用干法刻蚀GaN模板,形成GaN纳米柱阵列;步骤5:用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒,得到GaN纳米柱阵列;步骤6:在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNIII族氮化物半导体材料。
metadata_83集成光电子学国家重点实验室
Patent NumberCN200910085917.5
Language中文
Status公开
Application NumberCN200910085917.5
Patent Agent汤保平
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22057
Collection集成光电子学国家重点实验室
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GB/T 7714
孙苋,刘文宝,朱建军,等. Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法. CN200910085917.5.
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