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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers
作者: Zhuang QD;  Li JM;  Zeng YP;  Pan L;  Chen YH;  Kong MY;  Lin LY
出版日期: 1999
会议日期: JUN 24-26, 1998
摘要: Self-organized InGaAs/GaAs quantum dots (QDs) stacked multilayers have been prepared by solid source molecular beam epitaxy. Cross-sectional transmission electron microscopy shows that the InGaAs QDs are nearly perfectly vertically aligned in the growth direction [100]. The filtering effect on the QDs distribution is found to be the dominant mechanism leading to vertical alignment and a highly uniform size distribution. Moreover, we observe a distinct infrared absorption from the sample in the range of 8.6-10.7 mu m. This indicates the potential of QDs multilayer structure for use as infrared photodetector.
会议名称: 40th Electronic Materials Conference (EMC-40)
KOS主题词: Infrared radiation;  self-organization;  X-ray crystallography;  Islands;  Transitions
会议文集: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5)
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Zhuang QD; Li JM; Zeng YP; Pan L; Chen YH; Kong MY; Lin LY .Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers .见:MINERALS METALS MATERIALS SOC .JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5),420 COMMONWEALTH DR, WARRENDALE, PA 15086 USA ,1999,503-505
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