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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
作者: Zhang JP;  Sun DZ;  Li XB;  Wang XL;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY
出版日期: 1999
会议日期: AUG 31-SEP 04, 1998
摘要: We have found that GaN epilayers grown by NH3-source molecular beam epitaxy (MBE) contain hydrogen. Dependent on the hydrogen concentration, GaN on (0001) sapphire can be either under biaxially compressive strain or under biaxially tensile strain. Furthermore, we notice that background electrons in GaN increase with hydrogen incorporation. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) measurements of the N1s region indicate that hydrogen is bound to nitrogen. So, the microdefect Ga...H-N is an effective nitrogen vacancy in GaN, and it may be a donor partly answering for the background electrons. (C) 1999 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
会议名称: 10th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-X)
KOS主题词: Residual stresses;  Stress (mechanics);  Photoelasticity;  Thermal stresses;  Development
会议文集: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY .Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface .见:ELSEVIER SCIENCE BV .JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201,PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS ,1999,429-432
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