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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 会议论文

题名: Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells
作者: Li Q;  Fang ZL;  Xu SJ;  Li GH;  Xie MH;  Tong SY;  Zhang XH;  Liu W;  Chua SJ
出版日期: 2003
会议日期: AUG 05-08, 2002
摘要: Excitation-power dependence of hydrostatic pressure coefficients (dE/dP) of InxGa1-xN/InyGa1-yN multiple quantum wells is reported. When the excitation power increases from 1.0 to 33 mW, dE/dP increases from 26.9 to 33.8 meV/GPa, which is an increase by 25%. A saturation behavior of dE/dP with the excitation power is observed. The increment of dE/dP with increasing carrier density is explained by an reduction of the internal piezoelectric field due to an efficient screening effect of the free carriers on the field.
会议名称: 10th International Conference on High Pressures in Semiconductor Physics (HPSP-X)
KOS主题词: Photoluminescence;  Temperature
会议文集: PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2)
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_会议论文

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推荐引用方式:
Li Q; Fang ZL; Xu SJ; Li GH; Xie MH; Tong SY; Zhang XH; Liu W; Chua SJ .Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells .见:WILEY-V C H VERLAG GMBH .PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 235 (2),PO BOX 10 11 61, D-69451 WEINHEIM, GERMANY ,2003,427-431
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